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微电子器件老化筛选测试流程

作者: salmon范 编辑: 瑞凯仪器 来源: xh-studios.com 发布日期: 2020.12.01
    1、流程
    舰船通用微电子器件的老化筛选项月,一般都与个或多个故障模代有关。所以其老化筛选的顺序大有讲究,本文推荐的舰船通用微电子器件老化筛选顺序(流程)是:

    常温初测、低温测试、高温测试、高低温冲击动态老化/高温存储检漏常温终测这里的/是条件或。即如果已做动态老化,高温存储可省:如果由于条件限制做不了动态老化,那么可用高温存储作补偿性筛选。

微电子器件老化筛选测试流程

    2、技术条件和方法
    2.1常温初/终测
    2.1.1条件
    检测的环境温度:23℃±2℃
    确保被检器件在检测的环境温度下已保持30min。
    2.1.2方法
    在有能力检测被测器件的测试系统上,按器件数据手册的技术要求检测器件是否满足规定的各项指标要求。一般,这些测试系统需要经过认可/计最确认,测试软件经过认可/计量确认。
    2.2低温测试
    2.2.1条件
    检测的环境温度:工作Tmin ±3℃
    确保被检器件在检测的环境温度下已保持120min。
    2.2.2方法
    在有能力检测被测器件的测试系统上,按器件数据于册的技术要求检测器件是否满足规定的各项指标要求。一般,这些测试系统需要经过认可/计量确认,测试软件经过认可/计量确认。
    2.3高温测试
    2.3.1条件
    检测的环境温度:工作Tmax±3℃
    确保被检器件在检测的环境温度下已保持120min。
    2.3.2方法
    在有能力检测被测器件的测试系统上,按器件数据手册的技术要求检测器件是否满足规定的务项指标要求。一般,这些测试系统蓿要经过认可/计量确认,测试软件经过认可/计量确认。
    2.4高低温冲击
    2.4.1条件
    冲击低温:存储/工作 Tmin ±3℃
    冲击高温:存储/工作 Tmax ±3℃
    冲击保持时间:30min。
    冲击交替时问:<3min。
    冲击交替次数:5次。
    2.4.2方法
    2.4.2.1 .二箱法
    本方法使用两箱式冷热冲击试验箱完成试验。从常温开始,将非工作状态的器件放入低温箱,使其达到存储/工作Tmin±3℃,保持30min,取出被试件在常温下放置2-3min,再放入温度已达存储/工作Tmax±3℃的高温箱,保持30min。取出被试件在常温下放置2-3min,再放入温度已达存储/工作Tmin±3℃的,低温箱,保持30min ...,如此循环重复5次。剔除外观受损部分。一般,这些试验设备也需要经过认可/计量确认。
    2.4.2.2一箱法
    在三箱式(换气式)冷热冲击试验箱上完成,将试验箱的二个试区温度分别置为:存储/工作Tmin±3℃和存储/工作Tmax±℃,并设置它相关的试验参数和上作参数。将受试作放入低温区开始试验。应确保试验从低温开始并能白动切换5个循环。一般,这些试验设备也需要经过认可/计量确认。
    2.5动态老化3.5.1条件
    老化的环境温度:工作Tmax±3℃
    老化时间:48h/96h。
    2.5.2方法
    在步入式高温老化房上完成,按器件数据手册规定的技术要求设定老化电源、电流、电压等具体的老化条件。确保每个被试器件已安全地固定在相应老化板的老化夹具上,并确保老化器件的每个输入管腿都有图形脉冲进入。一般,这样的老化系统也需要经过认可/计量确认。48h/96h应由客户或程序文件确定。
    2.6高温存储3.6.1条件
    高温存贮温度:存贮/工作Tmax±3℃
    高温存贮时间:48h/96h
    2.6.2方法
    将元器件放在满足试验能力要求的高低温试验箱中,设置高温存贮温度和保持时间,启动试验,当温度到达Tmax后确保保持96h,取出自然降温。一般,这样的设备也需要经过认可/计崇确认。48h/96h 应由客户或程序文件确定。
    2.7粗检漏
    2.7.1条件
    检漏液沸点温度:120℃±5℃
    确保被检器件能承受该温度,否则不进行粗检漏。如:民品器件。
    确保检漏液无大于1um粒子,否则过滤后再使用。
    2.7.2方法
    将被检器件放入加压容器,充氮气达411Kpa保持2h。然后,将恢复常压的被检件逐个放入120℃±5℃的检漏液中,确保被检件淹没深度超过5cm.借助放大镜观察30s 以上,剔除连续旨泡者。一般,这样的压力容器和压力表也需要经过认可/计量确认。
    3、试检判别依据
    3.1测试判别依据
    常温初/终测、高、低温测试的判别依据是由各微电子器件生产厂商发布的柑应器件于册所规定的技术指标。在无本手册的前提下,不同商规定的技术指标可参照执行。测试时,只要存在一项指标不合格,该器件应视为不合格品处置。在这样的情况下,后序的筛选过程不再执行。除非该器件的不合格程度并不严重,同时已通知并经用户认可,方能继续进行。
    3.2试验判别依据
    3.2.1高温存储/高低温冲击/动态老化判别依据
    这两项试验的目的是加速/诱发微电子器件的早期失效。一般存在缺陷的器件在早期失效后不能恢复,由于高低温冲击/动态老化设备,无能力对其电气特性是否发生了变化进行判别,所以对高低温冲击/动态老化后的器件的性能判别将在终测时进行。此时只需要对高低温冲击/动态老化后的器件进作肉眼观察,看其外观物理状态是否发生了明显的变化,例如:龟裂、爆炸等等,如果有这类情况,器件应立即剔除,不再参加以后的筛选试验。
    3.2.2粗检漏判别依据
    根据粗检漏的技术条件和要求,用放大镜观察浸入高温检漏液的器件,剔除连续詈泡者。
    4、记录和报告
    在微电子器件的老化筛选过程中,对本文推荐流程的每个阶段都应形成记录,并出具一个初测报告、低温测试报告、高温测试报告、一个完整(包括高低温冲击和动态老化和粗检漏)的试骏报告和一个终测报告。完整的试验报告也应将所作的全部试验条件和结果描述消楚。
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